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盘点2019:中国国产芯片三大突破改变格局

2019年12月31日 地区:中国

【多维新闻12月31日讯】即将过去的2019年,在美国的贸易高压政策下,中国最大短板芯片行业有得有失。一方面,美国的高压政策免费为中国普及了一堂芯片课,无论是官方还是民间对于芯片的重视前所未有,上升到国策的地位。另一方面,福建晋华因美国制裁而停摆,固然又一次给了中国一个惨痛的教训,但清华紫光旗下长江存储、合肥长鑫存储、中芯国际在芯片技术上的突破,总额超过2,000亿人民币(1元人民币约合0.145美元)的中国国家集成电路产业投资基金(以下简称“大基金”)二期的出炉,无疑又为中国芯片产业打了一剂强心针,世界芯片行业格局将因此改变。

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中国国家集成电路产业投资基金设立于2014年,正是中国芯片进口超越石油成为第一大进口商品的时代,“芯病”的焦虑无时无刻不困扰着中国。过去5年间,大基金共计投资约70个项目,涉及集成电路设计、制造、封装测试、设备、产业生态、材料等六大领域,投资总额高达1,047.14亿人民币。

其中,制造领域是大基金投资的重点,共计投资500.14亿人民币,占全部投资的47.8%;设计领域以205.9亿人民币位居次席,占19.7%;产业生态领域占19%,封装测试领域占11%,设备与材料领域分别占1.2%、1.4%。设备与材料领域投资占比极低,事实上也反映出中国集成电路产业在设备与材料领域的薄弱。

据不完全统计,中国芯片代工巨头中芯国际获得该基金的投资就超过200亿人民币,紫光集团仅2015年一次就获得了100亿人民币的投资。此外,中国芯片封装测试巨头长电科技、华为的功率放大器代工厂三安光电以及芯片设计公司国科微、北斗星通、兆易创新等都在大基金投资之列。

2019年10月,募集资金高达2,041.5亿人民币的大基金二期注册完毕。而据《关于征集浙江省数字经济产业投资基金项目的通知》披露,大基金二期“主要聚焦集成电路产业链布局,重点投向芯片制造及设备材料、芯片设计、封装测试等产业链环节,支持行业内骨干龙头企业做大做强”。在大基金二期的扶持下,中国芯片产业必将获得新的发展。作为大基金主要资金来源地的北京、上海、重庆、浙江、江苏、福建、安徽以及深圳、广州、成都、武汉,它们既是中国芯片产业最发达的地区,也将是大基金最大的受益者。

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福建晋华因美国制裁而导致技术提供方台湾联华电子撕毁协议,致使福建晋华停摆,给了中国存储芯片行业一个惨痛的教训。(福建晋华官网)

同在2019年,中国三大存储芯片企业,福建晋华因美国的制裁导致技术来源台湾联华电子撕毁协议而停摆,清华紫光旗下的长江存储以及合肥长鑫存储却传出好消息。2019年9月2日,紫光集团旗下长江存储宣布,该公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存,其64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高的存储密度,同时也是中国首款64层3D NAND闪存。长江存储计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品,以满足数据中心,以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。

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清华紫光旗下长江存储量产的全球首款基于Xtacking®架构设计的64层3D NAND闪存晶圆。(长江存储官网)

2019年9月20日,在2019世界制造业大会上,长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明当时表示,长鑫存储投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

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位于中国中部省份安徽省会合肥的长鑫存储,专注于DRAM存储的研发与生产,是中国存储芯片行业另一家龙头企业。2019年同样传出喜讯,与世界主流技术同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首次亮相。图为长鑫存储位于合肥的工厂。(长鑫存储官网)

以2018年中国全年进口芯片超过3,000亿美元计算,其中包括NAND、DRAM在内的存储芯片就占据三分之一的份额,国产存储芯片的正式量产对于中国意义之大可见一斑。2015年时,紫光集团曾试图以230亿美元收购美国存储芯片巨头美光科技,但被美国政府阻止。既然无法通过收购买来技术,那就只能自己努力了。在NAND芯片技术突破后,紫光又将进军DRAM芯片行业,看来紫光的野心不小,似乎要打造中国的三星存储。

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清华紫光是中国存储芯片行业骨干企业,旗下长江存储2019年实现了64层3G NAND的量产,又开始进入DRAM存储领域。由此来看,清华紫光野心不小,意图打造中国的三星存储。图为2009年清华紫光在一次展览会上。(Reuters)

作为中国最大的芯片代工企业,中芯国际14纳米生产工艺的量产始终引人关注。2019年8月,中芯国际发布第二季度业绩报告时,宣布其基于FinFET工艺的14纳米进入客户风险量产,预期在2019年底贡献有意义的营收。随后,在中芯国际第三季度财报说明会上,中芯国际联合首席执行官梁孟松表示,14纳米制程已经成功量产,流片数量持续增加,客户来自海内外。

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2019年,中国最大芯片代工企业中芯国际,也成功量产了14纳米工艺。相比台积电即将量产的5纳米工艺,中芯国际虽然差距仍然非常大,但14纳米工艺已经足够满足中国芯片行业绝大多数需求,比如北斗导航芯片目前使用的还是28纳米工艺。(VCG)

尽管中芯国际目前量产的14纳米工艺与世界排名第一的芯片代工巨头台积电仍然相差甚远,台积电目前已经量产7纳米EUV工艺,2020年将量产5纳米工艺,但对于中国芯片行业而言,绝大多数芯片都不需要台积电那样顶尖的工艺,14纳米足以满足绝大多数需求。以北斗导航芯片为例,目前最新使用的也不过是28纳米工艺,相比14纳米落后22纳米、16纳米两代,但也足够了。

在中芯国际攻关14纳米工艺的同时,2018年11月,台积电中国南京晶圆十六厂正式投入运营,将16纳米工艺引入中国大陆,在一定程度上对中芯国际形成了挤压效应。为应该对中芯国际14纳米量产,台积电是否会引入更先进的工艺目前尚不清楚,但对于技术远远领先的台积电而言,引入或不引入都不是问题。

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世界最大芯片代工厂台积电位于中国南京的12英寸晶圆厂,将16纳米芯片生产技术引入中国大陆,巧合的是中国芯片代工厂中芯国际在2019年突破了14纳米技术。(南京市政府官网)

从募资超过2,000亿的中国大基金二期,到长江存储量产世界首款基于Xtacking架构的64层3D NAND芯片并进军DRAM芯片、长鑫存储量产与国际主流DRAM产品同步的10纳米级DRAM芯片,再到中芯国际基于FinFET工艺的14纳米工艺投产,2019年中国芯片行业可谓大丰收,世界芯片格局将因此改变。

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